Name: SI9926CDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9926CDY-T1-E3TR-ND
Price: 23.275 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI9926CDY-T1-E3
DigiKeys produktnummer	SI9926CDY-T1-E3TR-ND - Tape og spole (TR) SI9926CDY-T1-E3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI9926CDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI9926CDY-T1-E3
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Produsentens standard leveringstid	38 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 20V 8A 3,1W Overflatemontering 8-SOIC
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser	Rds på (maks) ved Id, Vgs 18mOhm ved 8.3A, 4.5V
Produsent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks) ved Id 1.5V ved 250µA
Serie TrenchFET®	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 33nC ved 10V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1200pF ved 10V
Delestatus Aktiv	Effekt - maks 3,1W
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Konfigurasjon 2 N-kanal (dobbel)	Monteringstype Overflatemontering
FET-egenskap Logikknivåport	Kapsling 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Drain til Source-spenning 20V	Leverandørens enhetsforpakning 8-SOIC
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 8A	Baseproduktnummer SI9926