Name: SI8816EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8816EDB-T2-E1TR-ND
Price: 8.075 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI8816EDB-T2-E1
DigiKeys produktnummer	SI8816EDB-T2-E1TR-ND - Tape og spole (TR) SI8816EDB-T2-E1CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI8816EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI8816EDB-T2-E1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
Produsentens standard leveringstid	17 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 1,5A (Ta) 500mW (Ta) Overflatemontering 4-Microfoot
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 1.4V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 8 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks) ±12V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 195 pF @ 15 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 500mW (Ta)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 30 V	Leverandørens enhetsforpakning 4-Microfoot
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 1,5A (Ta)	Kapsling 4-XFBGA
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 2,5V, 10V	Baseproduktnummer SI8816
Rds på (maks) ved Id, Vgs 109mOhm ved 1A, 10V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 43 283

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)