Name: SI7119DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7119DN-T1-E3TR-ND
Price: 19.175 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI7119DN-T1-E3
DigiKeys produktnummer	SI7119DN-T1-E3TR-ND - Tape og spole (TR) SI7119DN-T1-E3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI7119DN-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI7119DN-T1-E3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Produsentens standard leveringstid	63 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 200 V 3,8A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI7119DN-T1-E3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 25 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 666 pF @ 50 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -50°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 200 V	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® 1212-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 3,8A (Tc)	Kapsling PowerPAK® 1212-8
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 6V, 10V	Baseproduktnummer SI7119
Rds på (maks) ved Id, Vgs 1.05Ohm ved 1A, 10V