MOSFET-er – matriser 60V 5,3A 3,1W Overflatemontering 8-SOIC
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI4900DY-T1-E3

DigiKeys produktnummer
SI4900DY-T1-E3TR-ND - Tape og spole (TR)
SI4900DY-T1-E3CT-ND - Båndavsnitt (CT)
SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer
SI4900DY-T1-E3
Beskrivelse
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 60V 5,3A 3,1W Overflatemontering 8-SOIC
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SI4900DY-T1-E3 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon
2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap
Logikknivåport
Drain til Source-spenning
60V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
5,3A
Rds på (maks) ved Id, Vgs
58mOhm ved 4.3A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
3V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
20nC ved 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
665pF ved 15V
Effekt - maks
3,1W
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype
Overflatemontering
Kapsling
8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Leverandørens enhetsforpakning
8-SOIC
Baseproduktnummer
SI4900
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 195
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Dette produktet er ikke lenger produsert og vil ikke lenger være lagervare etter at lageret er tømt. Vis Erstatninger.
Antall
Alle prisene er i NOK
Båndavsnitt (CT)
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 16,75000kr 16,75
10kr 10,63700kr 106,37
100kr 7,14000kr 714,00
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 16,75000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 20,93750