Name: SI4850BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4850BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 18.825 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI4850BDY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI4850BDY-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SI4850BDY-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI4850BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI4850BDY-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Produsentens standard leveringstid	55 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 8,4A (Ta), 11,3A (Tc) 2,5W (Ta), 4,5W (Tc) Overflatemontering 8-SO
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2.8V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 17 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 790 pF @ 30 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 4,5W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 60 V	Leverandørens enhetsforpakning 8-SO
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 8,4A (Ta), 11,3A (Tc)	Kapsling 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer SI4850
Rds på (maks) ved Id, Vgs 19.5mOhm ved 10A, 10V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 39 590

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)