Name: SI4816BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4816BDY-T1-E3TR-ND
Price: 29.5875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI4816BDY-T1-E3
DigiKeys produktnummer	SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Tape og spole (TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI4816BDY-T1-E3
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Produsentens standard leveringstid	38 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 30V 5,8A, 8,2A 1W, 1,25W Overflatemontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI4816BDY-T1-E3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser	Rds på (maks) ved Id, Vgs 18.5mOhm ved 6.8A, 10V
Produsent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks) ved Id 3V ved 250µA
Serie LITTLE FOOT®	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 10nC ved 5V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekt - maks 1W, 1,25W
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Konfigurasjon 2 N-kanal (halv bro)	Kapsling 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
FET-egenskap Logikknivåport	Leverandørens enhetsforpakning 8-SOIC
Drain til Source-spenning 30V	Baseproduktnummer SI4816
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 5,8A, 8,2A