N-kanal 30 V 6,5A (Ta) 1,3W (Ta) Overflatemontering 8-SOIC
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI4800BDY-T1-GE3

DigiKeys produktnummer
SI4800BDY-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR)
SI4800BDY-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT)
SI4800BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
SI4800BDY-T1-GE3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 30 V 6,5A (Ta) 1,3W (Ta) Overflatemontering 8-SOIC
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Filtrer lignende produkter
Vis tomme egenskaper
Kategori
Rds på (maks) ved Id, Vgs
18.5mOhm ved 9A, 10V
Produsent
Vgs(th) (maks) ved Id
1.8V ved 250µA
Serie
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
13 nC @ 5 V
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Vgs (maks)
±25V
Delestatus
Utdatert
Effekttap (maks)
1,3W (Ta)
FET-type
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Teknologi
Monteringstype
Overflatemontering
Drain til Source-spenning
30 V
Leverandørens enhetsforpakning
8-SOIC
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Kapsling
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
4,5V, 10V
Baseproduktnummer
Miljø- og eksportklassifiseringer
Spørsmål og svar om produktet
Ytterligere resurser
Erstatninger (3)
DelenummerProdusent Antall tilgjengeligDigiKeys produktnummer Enhetspris Type erstatning
SI4178DY-T1-GE3Vishay Siliconix6 705SI4178DY-T1-GE3CT-NDkr 10,10000MFR Recommended
FDS8884onsemi10FDS8884CT-NDkr 9,07000Similar
STS10N3LH5STMicroelectronics1 933497-10010-1-NDkr 15,34000Similar
På lager: 1 001
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Dette produktet er ikke lenger produsert og vil ikke lenger være lagervare etter at lageret er tømt. Vis Erstatninger.
Alle prisene er i NOK
Båndavsnitt (CT)
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 13,75000kr 13,75
10kr 8,67200kr 86,72
100kr 5,74230kr 574,23
500kr 4,48586kr 2 242,93
1 000kr 4,08134kr 4 081,34
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 13,75000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 17,18750