Name: SI4564DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4564DY-T1-GE3TR-ND
Price: 24.2125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI4564DY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI4564DY-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SI4564DY-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI4564DY-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
Produsentens standard leveringstid	38 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 40V 10A, 9,2A 3,1W, 3,2W Overflatemontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI4564DY-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser	Rds på (maks) ved Id, Vgs 17.5mOhm ved 8A, 10V
Produsent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 250µA
Serie TrenchFET®	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 31nC ved 10V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 855pF ved 20V
Delestatus Aktiv	Effekt - maks 3,1W, 3,2W
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Konfigurasjon N- og P-kanal	Monteringstype Overflatemontering
FET-egenskap Logikknivåport	Kapsling 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Drain til Source-spenning 40V	Leverandørens enhetsforpakning 8-SOIC
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 10A, 9,2A	Baseproduktnummer SI4564