Name: SI4497DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4497DY-T1-GE3TR-ND
Price: 37.3 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI4497DY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI4497DY-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SI4497DY-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI4497DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI4497DY-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Produsentens standard leveringstid	22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 30 V 36A (Tc) 3,5W (Ta), 7,8W (Tc) Overflatemontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI4497DY-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2.5V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 285 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 9685 pF @ 15 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 3,5W (Ta), 7,8W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 30 V	Leverandørens enhetsforpakning 8-SOIC
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 36A (Tc)	Kapsling 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer SI4497
Rds på (maks) ved Id, Vgs 3.3mOhm ved 20A, 10V