SI4465ADY-T1-E3 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar

FDS6375
onsemi
På lager: 0
Enhetspris : kr 11,51000
Datablad
Vis og sammenlign alle erstatninger
P-kanal 8 V 13,7A (Ta), 20A (Tc) 3W (Ta), 6,5W (Tc) Overflatemontering 8-SOIC
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI4465ADY-T1-E3

DigiKeys produktnummer
SI4465ADY-T1-E3TR-ND - Tape og spole (TR)
SI4465ADY-T1-E3CT-ND - Båndavsnitt (CT)
SI4465ADY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer
SI4465ADY-T1-E3
Beskrivelse
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
P-kanal 8 V 13,7A (Ta), 20A (Tc) 3W (Ta), 6,5W (Tc) Overflatemontering 8-SOIC
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
P-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
8 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
13,7A (Ta), 20A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
1,8V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
9mOhm ved 14A, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id
1V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
85 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
3W (Ta), 6,5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
8-SOIC
Kapsling
8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Baseproduktnummer
SI4465
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.