Name: SI4459BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4459BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 21.6125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI4459BDY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI4459BDY-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SI4459BDY-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI4459BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI4459BDY-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 30 V 20,5A (Ta), 27,8A (Tc) 3,1W (Ta), 5,6W (Tc) Overflatemontering 8-SO
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI4459BDY-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	20,5A (Ta), 27,8A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	4.9mOhm ved 15A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.2V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	84 nC @ 10 V
Vgs (maks)	+20V, -16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3490 pF @ 15 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3,1W (Ta), 5,6W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-SO
Kapsling	8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Baseproduktnummer	SI4459