SI4427BDY-T1-E3 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
På lager: 65 386
Enhetspris : kr 11,60000
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
På lager: 0
Enhetspris : kr 9,26000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 0
Enhetspris : kr 11,51000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 9 140
Enhetspris : kr 13,28000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 6 303
Enhetspris : kr 15,25000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 2 592
Enhetspris : kr 18,90000
Datablad
P-kanal 30 V 9,7A (Ta) 1,5W (Ta) Overflatemontering 8-SOIC
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI4427BDY-T1-E3

DigiKeys produktnummer
SI4427BDY-T1-E3TR-ND - Tape og spole (TR)
SI4427BDY-T1-E3CT-ND - Båndavsnitt (CT)
SI4427BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
SI4427BDY-T1-E3
Beskrivelse
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
P-kanal 30 V 9,7A (Ta) 1,5W (Ta) Overflatemontering 8-SOIC
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SI4427BDY-T1-E3 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
2,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
10.5mOhm ved 12.6A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
1.4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
70 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
1,5W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
8-SOIC
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.