Name: SI4143DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4143DY-T1-GE3TR-ND
Price: 17.5375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI4143DY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI4143DY-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SI4143DY-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT)
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI4143DY-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Produsentens standard leveringstid	22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 30 V 25,3A (Tc) 6W (Tc) Overflatemontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI4143DY-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2.5V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 167 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks) ±25V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT)	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 6630 pF @ 15 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 6W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TA)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 30 V	Leverandørens enhetsforpakning 8-SOIC
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 25,3A (Tc)	Kapsling 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer SI4143
Rds på (maks) ved Id, Vgs 6.2mOhm ved 12A, 10V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 91 213

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT)

Tape og spole (TR)