Name: SI3585CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3585CDV-T1-GE3TR-ND
Price: 10.175 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI3585CDV-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI3585CDV-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SI3585CDV-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI3585CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI3585CDV-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Produsentens standard leveringstid	38 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 20V 3,9A, 2,1A 1,4W, 1,3W Overflatemontering 6-TSOP
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI3585CDV-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser	Rds på (maks) ved Id, Vgs 58mOhm ved 2.5A, 4.5V
Produsent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks) ved Id 1.5V ved 250µA
Serie TrenchFET®	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 4.8nC ved 10V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 150pF ved 10V
Delestatus Aktiv	Effekt - maks 1,4W, 1,3W
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Konfigurasjon N- og P-kanal	Monteringstype Overflatemontering
FET-egenskap Logikknivåport	Kapsling SOT-23-6 tynn, TSOT-23-6
Drain til Source-spenning 20V	Leverandørens enhetsforpakning 6-TSOP
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 3,9A, 2,1A	Baseproduktnummer SI3585

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 161 688

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)