Name: SI3460DDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3460DDV-T1-GE3TR-ND
Price: 8.2875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI3460DDV-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI3460DDV-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SI3460DDV-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI3460DDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI3460DDV-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Produsentens standard leveringstid	13 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 20 V 7,9A (Tc) 1,7W (Ta), 2,7W (Tc) Overflatemontering 6-TSOP
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI3460DDV-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	20 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	7,9A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	28mOhm ved 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id	1V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	18 nC @ 8 V
Vgs (maks)	±8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	666 pF @ 10 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	1,7W (Ta), 2,7W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	6-TSOP
Kapsling	SOT-23-6 tynn, TSOT-23-6
Baseproduktnummer	SI3460

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 5 353

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)