SI2308BDS-T1-GE3 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Direkte


Vishay Siliconix
På lager: 10
Enhetspris : kr 7,58000

MFR Recommended


Vishay Siliconix
På lager: 39 001
Enhetspris : kr 5,15000
Datablad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
På lager: 742 561
Enhetspris : kr 5,80000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 54 240
Enhetspris : kr 4,21000
Datablad

Similar


Panjit International Inc.
På lager: 24 869
Enhetspris : kr 2,99000
Datablad
N-kanal 60 V 2,3A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) Overflatemontering SOT-23-3 (TO-236)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI2308BDS-T1-GE3

DigiKeys produktnummer
SI2308BDS-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR)
SI2308BDS-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT)
SI2308BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
SI2308BDS-T1-GE3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 60 V 2,3A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) Overflatemontering SOT-23-3 (TO-236)
EDA-/CAD-modeller
SI2308BDS-T1-GE3 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
156mOhm ved 1.9A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
3V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
6.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
190 pF @ 30 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
1,09W (Ta), 1,66W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
SOT-23-3 (TO-236)
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.