SI2305ADS-T1-GE3 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar

SI2305CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
På lager: 90 457
Enhetspris : kr 5,96000
Datablad
Vis og sammenlign alle erstatninger
P-kanal 8 V 5,4A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Overflatemontering SOT-23-3 (TO-236)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI2305ADS-T1-GE3

DigiKeys produktnummer
SI2305ADS-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer
SI2305ADS-T1-GE3
Beskrivelse
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
P-kanal 8 V 5,4A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Overflatemontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
P-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
8 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
5,4A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
1,8V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
40mOhm ved 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id
800mV ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
15 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
740 pF @ 4 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Driftstemperatur
-50°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
SOT-23-3 (TO-236)
Kapsling
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Baseproduktnummer
SI2305
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.