SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET-, MOSFET-matriser

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI1902DL-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI1902DL-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SI1902DL-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI1902DL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI1902DL-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 20V 660mA 270mW Overflatemontering SC-70-6
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI1902DL-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser	Rds på (maks) ved Id, Vgs 385mOhm ved 660mA, 4.5V
Produsent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks) ved Id 1.5V ved 250µA
Serie TrenchFET®	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 1.2nC ved 4.5V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekt - maks 270mW
Delestatus Utdatert	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Konfigurasjon 2 N-kanal (dobbel)	Kapsling 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
FET-egenskap Logikknivåport	Leverandørens enhetsforpakning SC-70-6
Drain til Source-spenning 20V	Baseproduktnummer SI1902
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 660mA

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

Erstatninger (3)

Delenummer	Produsent	Antall tilgjengelig	DigiKeys produktnummer	Enhetspris	Type erstatning
SI1902CDL-T1-GE3	Vishay Siliconix	408	SI1902CDL-T1-GE3CT-ND	kr 6,27000	MFR Recommended
NTJD4401NT1G	onsemi	40 155	NTJD4401NT1GOSCT-ND	kr 4,58000	Direkte
NVJD4401NT1G	onsemi	27 075	NVJD4401NT1GOSCT-ND	kr 8,79000	Similar