IRFIB5N65APBF er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
På lager: 1 992
Enhetspris : kr 2,40000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 970
Enhetspris : kr 2,19000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhetspris : kr 0,92203
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 62
Enhetspris : kr 2,15000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 1 888
Enhetspris : kr 3,74000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 28
Enhetspris : kr 2,47000
Datablad
N-kanal 650 V 5,1A (Tc) 60W (Tc) Gjennomgående hull TO-220-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IRFIB5N65APBF

DigiKeys produktnummer
IRFIB5N65APBF-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
IRFIB5N65APBF
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 5,1A (Tc) 60W (Tc) Gjennomgående hull TO-220-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRFIB5N65APBF Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
930mOhm ved 3.1A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
48 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1417 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
60W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-220-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.