2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

2N7002E-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	2N7002E-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) 2N7002E-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 2N7002E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	2N7002E-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Overflatemontering TO-236
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	240mA (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	3Ohm ved 250mA, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	21 pF @ 5 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	350mW (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	TO-236
Kapsling	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Baseproduktnummer	2N7002