Name: XPH4R714MC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH4R714MCL1XHQTR-ND
Price: 23.1125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

XPH4R714MC,L1XHQ
DigiKeys produktnummer	264-XPH4R714MCL1XHQTR-ND - Tape og spole (TR) 264-XPH4R714MCL1XHQCT-ND - Båndavsnitt (CT) 264-XPH4R714MCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	XPH4R714MC,L1XHQ
Beskrivelse	MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 40 V 60A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Overflatemontering 8-SOP Advance (5x5)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	XPH4R714MC,L1XHQ Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	60A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	4.7mOhm ved 30A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.1V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	160 nC @ 10 V
Vgs (maks)	+10V, -20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	5640 pF @ 10 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-SOP Advance (5x5)
Kapsling	8-PowerVDFN
Baseproduktnummer	XPH4R714