TK125N60Z1,S1F
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW140N120C,S1F

DigiKeys produktnummer
264-TW140N120CS1F-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
TW140N120C,S1F
Beskrivelse
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
Produsentens standard leveringstid
24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 1200 V 20A (Tc) 107W (Tc) Gjennomgående hull TO-247
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
182mOhm przy 10A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
24 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
691 pF @ 800 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
107W (Tc)
Driftstemperatur
175°C
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-247
Kapsling
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 48
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 135,59000kr 135,59
30kr 82,54200kr 2 476,26
120kr 71,14850kr 8 537,82
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 135,59000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 169,48750