TK125N60Z1,S1F
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW107N65C,S1F

DigiKeys produktnummer
264-TW107N65CS1F-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
TW107N65C,S1F
Beskrivelse
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
Produsentens standard leveringstid
24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 20A (Tc) 76W (Tc) Gjennomgående hull TO-247
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
145mOhm przy 10A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 1.2mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
21 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
600 pF @ 400 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
76W (Tc)
Driftstemperatur
175°C
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-247
Kapsling
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 30
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 119,31000kr 119,31
30kr 71,78767kr 2 153,63
120kr 61,37808kr 7 365,37
510kr 60,20549kr 30 704,80
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 119,31000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 149,13750