N-kanal 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L(X)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L(X)
TO-247-4

TW083Z65C,S1F

DigiKeys produktnummer
264-TW083Z65C,S1F-ND
Produsent
Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer
TW083Z65C,S1F
Beskrivelse
G3 650V SIC-MOSFET TO-247-4L 83
Produsentens standard leveringstid
24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L(X)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
30A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
118mOhm ved 15A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 600µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
28 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
873 pF @ 400 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
111W (Tc)
Driftstemperatur
175°C
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-247-4L(X)
Kapsling
TO-247-4
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 28
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 158,95000kr 158,95
30kr 97,87200kr 2 936,16
120kr 84,49708kr 10 139,65
510kr 78,59625kr 40 084,09
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 158,95000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 198,68750