Name: TW083N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083N65CS1F-ND
Price: 204.5375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TW083N65C,S1F
DigiKeys produktnummer	264-TW083N65CS1F-ND
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TW083N65C,S1F
Beskrivelse	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Produsentens standard leveringstid	24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Gjennomgående hull TO-247
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	30A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	113mOhm przy 15A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5V ved 600µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	28 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	873 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	111W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-247
Kapsling	TO-247-3

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 112

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 163,63000	kr 163,63
30	kr 101,25033	kr 3 037,51
120	kr 90,69775	kr 10 883,73

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.