TK125N60Z1,S1F
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW048N65C,S1F

DigiKeys produktnummer
264-TW048N65CS1F-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
TW048N65C,S1F
Beskrivelse
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Produsentens standard leveringstid
24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 40A (Tc) 132W (Tc) Gjennomgående hull TO-247
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
65mOhm przy 20A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 1,6mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
41 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1362 pF @ 400 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
132W (Tc)
Driftstemperatur
175°C
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-247
Kapsling
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 24
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 197,90000kr 197,90
30kr 124,50500kr 3 735,15
120kr 115,72467kr 13 886,96
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 197,90000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 247,37500