Name: TW045Z120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW045Z120C,S1F-ND
Price: 331.9375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TW045Z120C,S1F
DigiKeys produktnummer	264-TW045Z120C,S1F-ND
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TW045Z120C,S1F
Beskrivelse	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 4
Produsentens standard leveringstid	10 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 40A (Tc) 182W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L(X)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	40A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	62mOhm ved 20A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5V ved 6,7mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	57 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1969 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	182W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-247-4L(X)
Kapsling	TO-247-4

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 55

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 265,55000	kr 265,55
30	kr 171,45667	kr 5 143,70
120	kr 168,10300	kr 20 172,36

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.