N-kanal 1200 V 60A (Tc) 249W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L(X)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 60A (Tc) 249W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L(X)
TO-247-4

TW030Z120C,S1F

DigiKeys produktnummer
264-TW030Z120C,S1F-ND
Produsent
Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer
TW030Z120C,S1F
Beskrivelse
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3
Produsentens standard leveringstid
24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 1200 V 60A (Tc) 249W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L(X)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
60A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
41mOhm ved 30A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 13mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
82 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2925 pF @ 800 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
249W (Tc)
Driftstemperatur
175°C
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-247-4L(X)
Kapsling
TO-247-4
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 70
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 366,91000kr 366,91
30kr 243,15367kr 7 294,61
120kr 227,06483kr 27 247,78
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 366,91000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 458,63750