N-kanal 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L(X)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L(X)
TO-247-4

TW015Z120C,S1F

DigiKeys produktnummer
264-TW015Z120C,S1F-ND
Produsent
Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer
TW015Z120C,S1F
Beskrivelse
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
Produsentens standard leveringstid
24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L(X)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
100A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
21mOhm przy 50A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 11,7mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
158 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
6000 pF @ 800 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
431W (Tc)
Driftstemperatur
175°C
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-247-4L(X)
Kapsling
TO-247-4
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

0 På lager
Kontroller leveringstid
Be om lagervarsel
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 737,76000kr 737,76
30kr 535,65967kr 16 069,79
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 737,76000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 922,20000