Name: TW015N120C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW015N120CS1F-ND
Price: 972.1875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TW015N120C,S1F
DigiKeys produktnummer	264-TW015N120CS1F-ND
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TW015N120C,S1F
Beskrivelse	G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Produsentens standard leveringstid	24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 100A (Tc) 431W (Tc) Gjennomgående hull TO-247
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TW015N120C,S1F Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	100A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	20mOhm przy 50A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5V ved 11,7mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	158 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	6000 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	431W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-247
Kapsling	TO-247-3

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 51

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 777,75000	kr 777,75
30	kr 633,35033	kr 19 000,51

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.