Dioder 650 V 8A Gjennomgående hull TO-220-2L
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TRS8E65H,S1Q

DigiKeys produktnummer
264-TRS8E65H,S1Q-ND
Produsent
Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer
TRS8E65H,S1Q
Beskrivelse
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Produsentens standard leveringstid
24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
Dioder 650 V 8A Gjennomgående hull TO-220-2L
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
Teknologi
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spenning - DC omvendt (Vr) (maks)
650 V
Strøm - gjennomsnitt korrigert (Io)
8A
Spenning - fremover (Vf) (maks) ved If
1.35 V @ 8 A
Hurtighet
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Omvendt gjenopprettingstid (trr)
0 ns
Strøm - omvendt lekkasje ved Vr
90 µA @ 650 V
Kapasitans ved Vr, F
520pF ved 1V, 1MHz
Monteringstype
Gjennomgående hull
Kapsling
TO-220-2
Leverandørens enhetsforpakning
TO-220-2L
Driftstemperatur - kobling
175°C
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 263
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 32,52000kr 32,52
50kr 15,87440kr 793,72
100kr 15,11330kr 1 511,33
500kr 13,84202kr 6 921,01
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 32,52000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 40,65000
3 Varer
TK024N60Z1,S1F

TK024N60Z1,S1F

N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V

Toshiba Semiconductor and Storage

kr 147,49000
TK080N60Z1,S1F

TK080N60Z1,S1F

600V DTMOS6 TO-247 80MOHM

Toshiba Semiconductor and Storage

kr 61,38000
TPH2R408QM,L1Q

TPH2R408QM,L1Q

MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

kr 23,28000