Name: TPN5900CNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN5900CNHL1QTR-ND
Price: 23.625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TPN5900CNH,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPN5900CNHL1QTR-ND - Tape og spole (TR) TPN5900CNHL1QCT-ND - Båndavsnitt (CT) TPN5900CNHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TPN5900CNH,L1Q
Beskrivelse	MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 150 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Overflatemontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPN5900CNH,L1Q Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	150 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	9A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	59mOhm ved 4.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 200µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	7 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	600 pF @ 75 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Kapsling	8-PowerVDFN
Baseproduktnummer	TPN5900