Name: TPN19008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN19008QMLQTR-ND
Price: 15.45 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TPN19008QM,LQ
DigiKeys produktnummer	264-TPN19008QMLQTR-ND - Tape og spole (TR) 264-TPN19008QMLQCT-ND - Båndavsnitt (CT) 264-TPN19008QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TPN19008QM,LQ
Beskrivelse	MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 34A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) Overflatemontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPN19008QM,LQ Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	80 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	34A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	19mOhm ved 17A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.5V ved 200µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	16 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1400 pF @ 40 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	630mW (Ta), 57W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Kapsling	8-PowerVDFN
Baseproduktnummer	TPN19008