Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 36.0625 NOK
Availability: InStock

Nytt produkt

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TPM1R908QM,LQ
DigiKeys produktnummer	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Tape og spole (TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Båndavsnitt (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TPM1R908QM,LQ
Beskrivelse	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Overflatemontering 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	80 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	26A (Ta), 238A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1,9mOhm ved 70A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.5V ved 1.2mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	108 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	10500 pF @ 40 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3W (Ta), 250W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-SOP Advance (4,9x5,75)
Kapsling	8-PowerTDFN