Name: TPH2900ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2900ENHL1QTR-ND
Price: 41.275 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TPH2900ENH,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPH2900ENHL1QTR-ND - Tape og spole (TR) TPH2900ENHL1QCT-ND - Båndavsnitt (CT) TPH2900ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TPH2900ENH,L1Q
Beskrivelse	MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 200 V 33A (Ta) 78W (Tc) Overflatemontering 8-SOP Advance (5x5)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPH2900ENH,L1Q Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 1mA
Produsent Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 22 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 2200 pF @ 100 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 78W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 200 V	Leverandørens enhetsforpakning 8-SOP Advance (5x5)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 33A (Ta)	Kapsling 8-PowerVDFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer TPH2900
Rds på (maks) ved Id, Vgs 29mOhm ved 16.5A, 10V