Name: TPH1R306PL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH1R306PL1LQTR-ND
Price: 39.45 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TPH1R306PL1,LQ
DigiKeys produktnummer	264-TPH1R306PL1LQTR-ND - Tape og spole (TR) 264-TPH1R306PL1LQCT-ND - Båndavsnitt (CT) 264-TPH1R306PL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TPH1R306PL1,LQ
Beskrivelse	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Overflatemontering 8-SOP Advance (5x5,75)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	100A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1,34mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	91 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	8100 pF @ 30 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	960mW (Ta), 210W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-SOP Advance (5x5,75)
Kapsling	8-PowerTDFN