TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete halvlederprodukter

TK65G10N1,RQ er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 1 196

Enhetspris : kr 23,72000

Similar

onsemi

På lager: 1 379

Enhetspris : kr 48,85000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 1 150

Enhetspris : kr 40,91000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TK65G10N1,RQ
DigiKeys produktnummer	TK65G10N1RQTR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TK65G10N1,RQ
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 65A (Ta) 156W (Tc) Overflatemontering D2PAK
EDA-/CAD-modeller	TK65G10N1,RQ Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Emballasje	Tape og spole (TR)
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	65A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	4.5mOhm ved 32.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	81 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	5400 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	156W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	D2PAK
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	TK65G10