Name: TK55S10N1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK55S10N1LQTR-ND
Price: 45.725 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TK55S10N1,LQ
DigiKeys produktnummer	TK55S10N1LQTR-ND - Tape og spole (TR) TK55S10N1LQCT-ND - Båndavsnitt (CT) TK55S10N1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TK55S10N1,LQ
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Produsentens standard leveringstid	12 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 55A (Ta) 157W (Tc) Overflatemontering DPAK+
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TK55S10N1,LQ Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 500µA
Produsent Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 49 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 3280 pF @ 10 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 157W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100 V	Leverandørens enhetsforpakning DPAK+
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 55A (Ta)	Kapsling TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer TK55S10
Rds på (maks) ved Id, Vgs 6.5mOhm ved 27.5A, 10V