TK4A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete halvlederprodukter

TK4A60D(STA4,Q,M) er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 0

Enhetspris : kr 16,08000

Similar

onsemi

På lager: 425

Enhetspris : kr 28,34000

Similar

Infineon Technologies

På lager: 330

Enhetspris : kr 17,19000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 0

Enhetspris : kr 10,87096

Similar

STMicroelectronics

På lager: 285

Enhetspris : kr 0,00000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 2 009

Enhetspris : kr 20,60000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TK4A60D(STA4,Q,M)
DigiKeys produktnummer	TK4A60D(STA4QM)-ND
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TK4A60D(STA4,Q,M)
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 600 V 4A (Ta) 35W (Tc) Gjennomgående hull TO-220SIS
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TK4A60D(STA4,Q,M) Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	4A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.7Ohm ved 2A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4.4V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	12 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	600 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	35W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-220SIS
Kapsling	TO-220-3 full pakke
Baseproduktnummer	TK4A60