Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 90.4625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TK31V60X,LQ
DigiKeys produktnummer	TK31V60XLQTR-ND - Tape og spole (TR) TK31V60XLQCT-ND - Båndavsnitt (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TK31V60X,LQ
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 600 V 30,8A (Ta) 240W (Tc) Overflatemontering 4-DFN-EP (8x8)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TK31V60X,LQ Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	DTMOSIV-H
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	30,8A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	98mOhm ved 9.4A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.5V ved 1.5mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	65 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3000 pF @ 300 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	240W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	4-DFN-EP (8x8)
Kapsling	4-VSFN-eksponert plate
Baseproduktnummer	TK31V60