Name: TK12P60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12P60WRVQTR-ND
Price: 44.4375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TK12P60W,RVQ
DigiKeys produktnummer	TK12P60WRVQTR-ND - Tape og spole (TR) TK12P60WRVQCT-ND - Båndavsnitt (CT) TK12P60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TK12P60W,RVQ
Beskrivelse	MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 600 V 11,5A (Ta) 100W (Tc) Overflatemontering DPAK
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TK12P60W,RVQ Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3.7V ved 600µA
Produsent Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 25 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV	Vgs (maks) ±30V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 890 pF @ 300 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 100W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 600 V	Leverandørens enhetsforpakning DPAK
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 11,5A (Ta)	Kapsling TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer TK12P60
Rds på (maks) ved Id, Vgs 340mOhm ved 5.8A, 10V