Name: TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 33.675 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TJ50S06M3L(T6L1,NQ
DigiKeys produktnummer	264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR-ND - Tape og spole (TR) 264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT-ND - Båndavsnitt (CT) 264-TJ50S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Beskrivelse	MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 60 V 50A (Ta) 90W (Tc) Overflatemontering DPAK+
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TJ50S06M3L(T6L1,NQ Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	50A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	13.8mOhm ved 25A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	124 nC @ 10 V
Vgs (maks)	+10V, -20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	6290 pF @ 10 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	90W (Tc)
Driftstemperatur	175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	DPAK+
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer	TJ50S06