Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 364.8625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SCTL90N65G2V
DigiKeys produktnummer	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Tape og spole (TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Båndavsnitt (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	STMicroelectronics
Produsentens produktnummer	SCTL90N65G2V
Beskrivelse	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Overflatemontering PowerFlat™ (8x8) HV
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SCTL90N65G2V Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 5V ved 1mA
Produsent STMicroelectronics	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 157 nC @ 18 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) +22V, -10V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 3380 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 935W (Tc)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 40A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PowerFlat™ (8x8) HV
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 18V	Kapsling 4-PowerVDFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 24mOhm ved 40A, 18V