Nytt produkt
GCMX003A120S3B1-N
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

GCMX005A120S3B1-N

DigiKeys produktnummer
1560-GCMX005A120S3B1-N-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
GCMX005A120S3B1-N
Beskrivelse
1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Produsentens standard leveringstid
22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 424A (Tc) 1,531kW (Tc) Chassismontering
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
SemiQ
Serie
Emballasje
Boks
Delestatus
Aktiv
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
2 N-kanal (halv bro)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
424A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
7mOhm ved 200A, 20V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 80mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
901nC ved 20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
26400pF ved 800V
Effekt - maks
1,531kW (Tc)
Driftstemperatur
-40°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Chassismontering
Kapsling
Modul
Leverandørens enhetsforpakning
-
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

0 På lager
Kontroller leveringstid
Be om lagervarsel
Alle prisene er i NOK
Boks
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 1 953,31000kr 1 953,31
15kr 1 820,23600kr 27 303,54
Produsentens standardpakking
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 1 953,31000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 2 441,63750