RW1A025APT2CR er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar

RV5A040APTCR1
Rohm Semiconductor
På lager: 5 973
Enhetspris : kr 10,78000
Datablad

Similar

SSM6J216FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 3 479
Enhetspris : kr 6,16000
Datablad
Vis og sammenlign alle erstatninger
P-kanal 12 V 2,5A (Ta) 400mW (Ta) Overflatemontering 6-WEMT
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
P-kanal 12 V 2,5A (Ta) 400mW (Ta) Overflatemontering 6-WEMT
WEMT6 Series

RW1A025APT2CR

DigiKeys produktnummer
846-RW1A025APT2CRTR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer
RW1A025APT2CR
Beskrivelse
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
P-kanal 12 V 2,5A (Ta) 400mW (Ta) Overflatemontering 6-WEMT
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
RW1A025APT2CR Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Rohm Semiconductor
Serie
-
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
P-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
12 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
2,5A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
1,5V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
62mOhm ved 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id
1V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
16 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
-8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2000 pF @ 6 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
400mW (Ta)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
6-WEMT
Kapsling
6-SMD, flate ledninger
Baseproduktnummer
RW1A025
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.
Kan ikke avbestilles / kan ikke returneres