Name: RS6L090BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6L090BGTB1TR-ND
Price: 36.8375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

RS6L090BGTB1
DigiKeys produktnummer	846-RS6L090BGTB1TR-ND - Tape og spole (TR) 846-RS6L090BGTB1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 846-RS6L090BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer	RS6L090BGTB1
Beskrivelse	NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Overflatemontering 8-HSOP
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	RS6L090BGTB1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2.5V ved 1mA
Produsent Rohm Semiconductor	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 28 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1950 pF @ 30 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 3W (Ta), 73W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 60 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 90A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning 8-HSOP
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling 8-PowerTDFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 4.7mOhm ved 90A, 10V