RQ3P300BETB1 Rohm Semiconductor | Diskrete halvlederprodukter

RQ3P300BETB1 er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

STMicroelectronics

På lager: 3 390

Enhetspris : kr 16,89000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

RQ3P300BETB1
DigiKeys produktnummer	RQ3P300BETB1TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer	RQ3P300BETB1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Overflatemontering 8-HSMT (3,2x3)
EDA-/CAD-modeller	RQ3P300BETB1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Rohm Semiconductor
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR)
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	10A (Ta), 36A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	21mOhm ved 10A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 200µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	19.1 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1250 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2W (Ta), 32W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-HSMT (3,2x3)
Kapsling	8-PowerVDFN
Baseproduktnummer	RQ3P300