Name: RQ3L050GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3L050GNTBTR-ND
Price: 15.325 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

RQ3L050GNTB
DigiKeys produktnummer	RQ3L050GNTBTR-ND - Tape og spole (TR) RQ3L050GNTBCT-ND - Båndavsnitt (CT) RQ3L050GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer	RQ3L050GNTB
Beskrivelse	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 12A (Tc) 14,8W (Tc) Overflatemontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	RQ3L050GNTB Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Rohm Semiconductor
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Ikke for nye utførelser
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	12A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	61mOhm ved 5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 25µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	300 pF @ 30 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	14,8W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-HSMT (3,2x3)
Kapsling	8-PowerVDFN
Baseproduktnummer	RQ3L050