Name: RQ3G150GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G150GNTBTR-ND
Price: 23.1125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

RQ3G150GNTB
DigiKeys produktnummer	RQ3G150GNTBTR-ND - Tape og spole (TR) RQ3G150GNTBCT-ND - Båndavsnitt (CT) RQ3G150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer	RQ3G150GNTB
Beskrivelse	MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 39A (Tc) 20W (Tc) Overflatemontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	RQ3G150GNTB Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Rohm Semiconductor
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Ikke for nye utførelser
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	39A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	7.2mOhm ved 15A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1450 pF @ 20 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	20W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-HSMT (3,2x3)
Kapsling	8-PowerVDFN
Baseproduktnummer	RQ3G150