Name: RQ3G100GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3G100GNTBTR-ND
Price: 10.05 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

RQ3G100GNTB
DigiKeys produktnummer	RQ3G100GNTBTR-ND - Tape og spole (TR) RQ3G100GNTBCT-ND - Båndavsnitt (CT) RQ3G100GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer	RQ3G100GNTB
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 10A (Ta) 2W (Ta) Overflatemontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	RQ3G100GNTB Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Rohm Semiconductor
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Ikke for nye utførelser
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	10A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	14.3mOhm ved 10A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	8.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	615 pF @ 20 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2W (Ta)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-HSMT (3,2x3)
Kapsling	8-PowerVDFN
Baseproduktnummer	RQ3G100

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 49 624

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Ikke anbefalt for nye design/konstruksjoner, minimumsnivåer kan gjelde. Vis Erstatninger.

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)